Pat
J-GLOBAL ID：200903099504633529
電界効果トランジスタの製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 章夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991276435
Publication number (International publication number)：1994097200
Application date： Sep. 30, 1991
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：
【要約】【目的】 リセスとゲート電極との寸法制御性が良く、かつ特性の良好な高周波高出力GaAsMESFETの製造方法を得る。【構成】 nチャネルGaAs動作層2の表面を絶縁膜3で被覆し、かつこの絶縁膜を開口し、露出したGaAs動作層2の表面をエッチングしてリセスを形成する。又、絶縁膜3をマスクとしてリセス表面にアンドープAlGaAs層4を形成する。更に、絶縁膜3の開口内に側壁5を形成し、この側壁5をマスクとしてAlGaAs層4をエッチングし、かつこのエッチング除去された部分にGaAs動作層2に接するゲート電極6を形成する工程を含んでいる。
Claim (excerpt)：
nチャネルGaAs動作層の表面を絶縁膜で被覆する工程と、この絶縁膜を開口し、露出した前記GaAs動作層表面をエッチングしてリセスを形成する工程と、前記絶縁膜をマスクにして形成されたリセス表面にアンドープAlGaAs層を形成する工程と、全面に第2の絶縁膜を被覆した後、これを異方性エッチングして前記絶縁膜の開口内に側壁を形成する工程と、この側壁をマスクとして前記AlGaAs層をエッチングする工程と、このAlGaAs層のエッチング除去された部分に前記GaAs動作層に接するゲート電極を形成する工程を含むことを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
H01L 29/80 F
, H01L 29/80 B
