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J-GLOBAL ID：200903099507659995

光電極及びこれを用いた光化学電池

Inventor： 原 進 ,  阿部 直人
Applicant, Patent owner： ジャパンゴアテックス株式会社
Agent (1)： 小谷 悦司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000373279
Publication number (International publication number)：2002175843
Application date： Dec. 07, 2000
Publication date： Jun. 21, 2002
Summary：

【要約】【課題】 実用化に可能なレベルの光電変換効率を有する、高分子基板を用いた光電極、及び当該光電極を用いた色素増感型光化学電池を提供する。【解決手段】 外部に連通する空孔を有する多孔質高分子膜に光半導体を担持してなる光半導体複合膜と、該光半導体複合膜の一面に積層されている透明な導電層とを含む光電極で、前記光半導体は、前記多孔質高分子膜の空孔内に保持されるとともに、前記多孔質高分子膜の一面に光半導体層が積層されるように担持されていて、前記導電層は前記光半導体層に積層されていることが好ましい。前記多孔質高分子膜としてePTFEを使用することにより、前記光半導体複合膜を200°C以上で焼成することができる。

Claim (excerpt)：

外部に連通する空孔を有する多孔質高分子膜に光半導体を担持してなる光半導体複合膜と、該光半導体複合膜の一面に積層されている透明な導電層とを含む光電極。

IPC (2)：

H01M 14/00 ,  H01L 31/04

FI (2)：

H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z

F-Term (14)：

5F051AA14 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB00 ,  5H032BB02 ,  5H032BB05 ,  5H032EE02 ,  5H032EE05 ,  5H032EE07 ,  5H032EE13 ,  5H032EE16 ,  5H032HH01 ,  5H032HH04 ,  5H032HH06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 光半導体電極及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-343633   Applicant：ジャパンゴアテックス株式会社