Pat
J-GLOBAL ID:200903099513701448
ICチップ実装用基板の製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
安富 康男
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001284047
Publication number (International publication number):2003046256
Application date: Sep. 18, 2001
Publication date: Feb. 14, 2003
Summary:
【要約】 (修正有)【課題】 接続信頼性に優れる光通信を達成するとともに、端末機器の小型化に寄与することができるICチップ実装用基板の製造方法を提供する。【解決手段】 光学素子挿入用基板1とパッケージ基板21とを作製し、両者を貼り貼り合わせた後、少なくとも下記(1)〜(3)の工程を行うことを特徴とするICチップ実装用基板の製造方法。(1)上記光学素子挿入用基板に形成した貫通孔より露出したパッケージ基板の表面に光学素子38,39を取り付けた後、上記光学素子と上記パッケージ基板の導体回路とを電気的に接続する光学素子実装工程、(2)上記光学素子挿入用基板に形成した貫通孔内に樹脂組成物41を充填し、樹脂充填層を形成する樹脂充填層形成工程、および、(3)上記光学素子挿入基板の露出面にソルダーレジスト層34を形成するソルダーレジスト層形成工程。
Claim (excerpt):
(a)基板aの両面に導体回路を形成するとともに、前記基板aを挟んだ導体回路間を接続するスルーホールを形成する導体回路形成工程、(b)導体回路を形成した基板aの片面の導体回路非形成部の少なくとも一部に接着剤層を形成する接着剤層形成工程、および、(c)接着剤層を形成した基板aの一部に貫通孔を形成する貫通孔形成工程、を経て作製した光学素子挿入用基板と、(A)基板Aの両面に導体回路を形成する第一の導体回路形成工程、(B)前記導体回路を形成した基板A上に、バイアホールを有する層間樹脂絶縁層を形成するとともに、前記層間樹脂絶縁層上に導体回路を形成する層間樹脂絶縁層積層工程、および、(C)最外層にソルダーレジスト層を形成するソルダーレジスト層形成工程、を経て作製したパッケージ基板と、を貼り合わせた後、少なくとも下記(1)〜(3)の工程を行うことを特徴とするICチップ実装用基板の製造方法。(1)前記光学素子挿入用基板に形成した貫通孔より露出したパッケージ基板の表面に光学素子を取り付けた後、前記光学素子と前記パッケージ基板の導体回路とを電気的に接続する光学素子実装工程、(2)前記光学素子挿入用基板に形成した貫通孔内に樹脂組成物を充填し、樹脂充填層を形成する樹脂充填層形成工程、および、(3)前記光学素子挿入基板の露出面にソルダーレジスト層を形成するソルダーレジスト層形成工程。
IPC (5):
H05K 3/46
, H01L 31/02
, H01L 31/12
, H01L 33/00
, H01S 5/022
FI (7):
H05K 3/46 Q
, H05K 3/46 L
, H05K 3/46 N
, H01L 31/12 G
, H01L 33/00 N
, H01S 5/022
, H01L 31/02 B
F-Term (40):
5E346AA12
, 5E346AA15
, 5E346AA17
, 5E346AA22
, 5E346AA32
, 5E346AA41
, 5E346AA43
, 5E346AA51
, 5E346CC04
, 5E346CC08
, 5E346EE41
, 5E346EE43
, 5E346FF45
, 5E346HH22
, 5F041DA02
, 5F041DA07
, 5F041DA20
, 5F041DA43
, 5F041DA83
, 5F041DC84
, 5F041EE01
, 5F041FF14
, 5F073FA06
, 5F073FA27
, 5F073FA28
, 5F073FA29
, 5F073FA30
, 5F088BA16
, 5F088EA06
, 5F088EA09
, 5F088JA06
, 5F088JA10
, 5F088JA14
, 5F088JA20
, 5F089AA01
, 5F089AC17
, 5F089BC25
, 5F089EA01
, 5F089EA04
, 5F089EA06
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