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J-GLOBAL ID：200903099550138087
多層回路基板の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長門 侃二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993107866
Publication number (International publication number)：1994318783
Application date： May. 10, 1993
Publication date： Nov. 15, 1994
Summary：
【要約】【目的】 部品を実装する導体回路と絶縁層との密着強度が大きく、高密度実装が可能で、また回路のファイン化もできる多層回路基板の製造方法を提供する。【構成】 この製造方法では、平板状の導電基材1の表面に所望パターンの第1の導体回路6aを形成したのち、前記第1の導体回路6aの表面に粗面化処理を施して粗面化層7を形成する工程に続けて、導体回路6aを埋設すると同時に所定の位置にバイヤホール用の穴を有する絶縁層8を形成し、前記絶縁層8の表面に粗面化処理を施したのちにそこに所望パターンの導体回路6bを形成する工程を反復して所望層数の積層体Lを形成し、ついで前記積層体Lの表面に絶縁基材を圧着または加熱圧着したのち、前記積層体Lを前記導電基材1の表面から剥離して前記積層体Lを前記絶縁基材1に転写する。
Claim (excerpt)：
平板状の導電基材の表面に所望パターンの第1の導体回路を形成したのち、前記第1の導体回路の表面に粗面化処理を施す工程に続けて、導体回路を埋設すると同時に所定の位置にバイヤホール用の穴を有する絶縁層を形成し、前記絶縁層の表面に粗面化処理を施したのちにそこに所望パターンの導体回路を形成する工程を反復して所望層数の積層体を形成し、ついで前記積層体の表面に絶縁基材を圧着または加熱圧着したのち、前記積層体を前記導電基材の表面から剥離して前記積層体を前記絶縁基材に転写することを特徴とする多層回路基板の製造方法。
IPC (3)：
H05K 3/46
, H05K 3/20
, H05K 3/38
