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J-GLOBAL ID：200903099551165665

薄膜半導体装置の製造方法

Inventor： 峰岸 昌弘 ,  下垣内 康 ,  高徳 真人 ,  林 久雄
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 鈴木 晴敏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998366277
Publication number (International publication number)：2000183358
Application date： Dec. 24, 1998
Publication date： Jun. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】 薄膜半導体装置に集積形成される薄膜トランジスタの活性層となる半導体薄膜の均一な結晶化及び大粒径化を達成する。【解決手段】 薄膜半導体装置を製造するため、まず成膜工程を行い絶縁基板0の表面に非単結晶の半導体薄膜4を形成する。次にアニール工程を行い、レーザ光50を照射して非単結晶の半導体薄膜4を一旦加熱溶融し冷却過程で多結晶に転換する。このあと加工工程を行い、多結晶の半導体薄膜4を活性層として薄膜トランジスタを集積形成する。均一な結晶化及び大粒径化を図るため、アニール工程では、エキシマレーザ光源を含むレーザ発振器51を用いてパルス幅が50ns以上のレーザ光50を各辺が10mm以上の矩形断面となるように光学系53で整形して、半導体薄膜4に逐次照射する。

Claim (excerpt)：

絶縁基板の表面に非単結晶の半導体薄膜を形成する成膜工程と、レーザ光を照射して非単結晶の該半導体薄膜を多結晶に転換するアニール工程と、多結晶の該半導体薄膜を活性層として薄膜トランジスタを集積形成する加工工程とを行なう薄膜半導体装置の製造方法であって、前記アニール工程は、エキシマレーザ光源を用いてパルス幅が50ns以上のレーザ光を該半導体薄膜に照射する事を特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268

FI (5)：

H01L 29/78 627 G ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 F ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 617 U

F-Term (22)：

5F052AA02 ,  5F052BA02 ,  5F052BB07 ,  5F052CA07 ,  5F052DA02 ,  5F052JA10 ,  5F110AA27 ,  5F110BB01 ,  5F110CC08 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE06 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ13 ,  5F110PP03