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J-GLOBAL ID：200903099556407373

半導体装置用高圧酸化炉

Inventor： 清和 明信
Applicant, Patent owner： 山形日本電気株式会社
Agent (1)： 内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991234196
Publication number (International publication number)：1993074757
Application date： Sep. 13, 1991
Publication date： Mar. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】大口径のウェーハを小さい加圧スペースで熱歪を押えて高圧酸化する。【構成】加圧タンク7内の石英製の炉芯管1内のウェーハホルダ2上にウェーハ3を1枚づつのせ、N2 ガスによって高圧状態にし、赤外線ランプ6によって加熱し、O2 又はH2 O反応ガスを導入し高圧状態にして酸化膜をウェーハ3につける。

Claim (excerpt)：

炉芯管と、この炉芯管内に設けられウェーハを水平に保持するためのウェーハホルダと、前記炉芯管の周囲に設けられた赤外線ランプとを含むことを特徴とする半導体装置用高圧酸化炉。

IPC (2)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/22