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J-GLOBAL ID：200903099565722516

ナノチューブ配線を備えた電子デバイス及びその製造方法

Inventor： 大淵 真理 ,  近藤 大雄 ,  二瓶 瑞久
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (4)： 眞鍋 潔 ,  柏谷 昭司 ,  渡邊 弘一 ,  伊藤 壽郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005012375
Publication number (International publication number)：2006202942
Application date： Jan. 20, 2005
Publication date： Aug. 03, 2006
Summary：

【課題】 ナノチューブ配線を備えた電子デバイス及びその製造方法に関し、製造工程を複雑化することなく、カーボンナノチューブ配線を任意の成長方向に成長させる。【解決手段】 底面を除く全面が触媒4で覆われた導電体ブロック2のナノチューブ配線が延在しない方向において触媒4と導電体ブロック2との間に成長抑制マスク3を設ける。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

底面を除く全面が触媒で覆われた導電体ブロックから所定の方向のみに成長するナノチューブ配線を備えた電子デバイスにおいて、前記ナノチューブ配線が延在しない方向において前記触媒と前記導電体ブロックとの間に成長抑制マスクが設けられていることを特徴とするナノチューブを備えた電子デバイス。

IPC (5)：

H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  C01B 31/02 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/285

FI (5)：

H01L21/88 M ,  C01B31/02 101F ,  H01L21/28 301Z ,  H01L21/285 C ,  H01L21/88 B

F-Term (40)：

4G146AA11 ,  4G146AB07 ,  4G146AD28 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BC09 ,  4G146BC23 ,  4G146BC33B ,  4G146BC38B ,  4G146BC42 ,  4G146BC43 ,  4G146BC44 ,  4M104BB04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB36 ,  4M104DD22 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104DD78 ,  4M104DD89 ,  4M104HH16 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH33 ,  5F033HH36 ,  5F033MM08 ,  5F033MM11 ,  5F033MM17 ,  5F033MM22 ,  5F033PP02 ,  5F033PP06 ,  5F033PP12 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ78 ,  5F033QQ91 ,  5F033VV04 ,  5F033XX10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 集積回路装置及び集積回路装置製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-135322   Applicant：富士通株式会社

Cited by examiner (3)

• 炭素元素円筒型構造体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-359661   Applicant：富士通株式会社
• カーボンナノチューブの水平成長方法及びこれを利用した電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-218578   Applicant：エルジー電子株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-028613   Applicant：ソニー株式会社