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J-GLOBAL ID：200903099566399530

薄膜式ガスセンサ及びその製造方法

Inventor： 稲葉 忠司 ,  高橋 英昭 ,  佐治 啓市
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田中央研究所
Agent (1)： 萼 経夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996103729
Publication number (International publication number)：1996327592
Application date： Mar. 29, 1996
Publication date： Dec. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】 薄膜式ガスセンサ及びその製造方法を提供する。【構成】 多孔質セラミック基板(アルミナ基板8)上に、多孔質電極層(陽極10)、プロトン伝導性固体電解質蒸着層(プロトン伝導性薄膜11)、多孔質電極層(陰極12)が順次積層され、所望により加熱部(白金ヒータ9)や白金リード線13が設けられて構成されたセンサ素子を備えてなる薄膜式ガスセンサ、並びに蒸着法により前記多孔質電極層及び前記プロトン伝導性固体電解質蒸着層を形成してなる、その製造方法。【効果】 本センサは電解質の抵抗が非常に小さく、測定精度及び再現性に優れ、信頼性が高く、構造が簡単で容易に得ることができ、且つ著しく小形化可能である。

Claim (excerpt)：

多孔質セラミック基板上に、多孔質電極層、プロトン伝導性固体電解質蒸着層、多孔質電極層が順次積層されて構成されたセンサ素子を備えてなることを特徴とする薄膜式ガスセンサ。

IPC (2)：

G01N 27/416 ,  G01N 27/406

FI (2)：

G01N 27/46 311 H ,  G01N 27/58 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭62-144063
  
• 特開昭63-172952
  
• 特開昭63-094145
  
• 特開昭62-269054