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J-GLOBAL ID：200903099572654020

多層配線の構造及びその製造方法

Inventor：
田上 政由

About 田上 政由

, 
林 喜宏

About 林 喜宏


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 天野 広
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999214110
Publication number (International publication number)：2001007204
Application date： Jun. 24, 1999
Publication date： Jan. 12, 2001
Summary：
【要約】【課題】銅の拡散を防止するためのバリア膜は、バリア性と共に銅との密着性も要求されるが、これまでの金属及び金属窒化膜バリア膜ではバリア性と密着性を両立したものを得ることは難しかった。【解決手段】バリア性に優れた非晶質金属窒化膜15と密着性に優れた結晶性金属膜16とを積層構造とすることにより、密着性とバリア性を両立した積層バリア膜17が得られる。例えば、半導体基板11上の絶縁膜12bに形成された配線溝または孔に埋め込み積層バリア膜17を成膜し、拡散バリア膜17上に銅膜18を形成することにより、良好な密着性と拡散がない銅配線を得ることが可能となる。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に形成された銅配線からの銅拡散を防止する拡散バリア膜において、前記拡散バリア膜は、結晶質の窒素含有金属膜と非晶質の金属窒化膜とからなる積層構造を有し、前記拡散バリア膜を構成する金属原子種は同一であることを特徴とする拡散バリア膜。
IPC (3)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205
FI (4)：
H01L 21/90 A ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 M
F-Term (63)：
4M104BB29 ,  4M104BB30 ,  4M104BB31 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB37 ,  4M104CC01 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD23 ,  4M104DD37 ,  4M104DD42 ,  4M104DD43 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104HH08 ,  4M104HH13 ,  4M104HH20 ,  5F033HH11 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK11 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033LL06 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP16 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ94 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033TT02 ,  5F033WW02 ,  5F033WW04 ,  5F033WW05 ,  5F033WW07 ,  5F033WW10 ,  5F033XX02 ,  5F033XX13 ,  5F033XX20 ,  5F033XX28
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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