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J-GLOBAL ID：200903099575716441

半導体発光ダイオード

Inventor： 石川 正行 ,  菅原 秀人 ,  波多腰 玄一 ,  西川 幸江 ,  鈴木 真理子 ,  板谷 和彦
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002019064
Publication number (International publication number)：2002237617
Application date： Mar. 15, 1991
Publication date： Aug. 23, 2002
Summary：

【要約】【課題】 活性層からの光が基板で吸収されるのを防止でき、黄色,緑色等の短波長領域でも高効率の発光を可能にする。【解決手段】 化合物半導体基板上にInGaAlP系材料からなる活性層36をクラッド層35,37で挟んだダブルヘテロ構造部を有する半導体発光ダイオードにおいて、基板としてGaP基板51を用い、ダブルヘテロ構造部上に第1の電極41を形成し、基板51のダブルヘテロ構造部と反対側面に第2の電極42を選択的に形成し、第2の電極42側から光を取り出す。

Claim (excerpt)：

GaP基板と、この基板上に形成された、InGaAlP系材料からなる活性層をInGaAlP系材料からなるクラッド層で挟んだダブルヘテロ構造部と、このダブルヘテロ構造部上に形成された第1の電極と、前記基板の前記ダブルヘテロ構造部と反対側面に選択的に形成された第2の電極とを具備してなり、第2の電極側から光を取り出すことを特徴とする半導体発光ダイオード。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/308

FI (2)：

H01L 33/00 B ,  H01L 21/308 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平1-243482
  
• 特開昭50-019382
  
• 特開昭58-222577
  
• 特開昭61-102786