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J-GLOBAL ID：200903099582875008

半導体装置の製造方法

Inventor： 松尾 美恵 ,  早坂 伸夫 ,  岡野 晴雄
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992045615
Publication number (International publication number)：1993243227
Application date： Mar. 03, 1992
Publication date： Sep. 21, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】本発明は、配線の幅や形状に拘らず、配線の組成を一定に制御することができ、しかも配線を微細化および多層化しても信頼性が高い配線を得ることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】基板10上もしくは基板上に形成された絶縁層11上にアルミニウムもしくはアルミニウム合金12からなる薄膜を形成する工程と、薄膜をパターニングして配線パターンを形成する工程と、配線パターン上に保護層を形成して保護層により配線パターン間を充填する工程と、配線パターンの上面のみが露出するように保護層を選択的に除去する工程と、配線パターン上にアルミニウムもしくはアルミニウム合金以外の金属からなる薄膜14を形成する工程と、これに熱処理を施してアルミニウムもしくはアルミニウム合金と金属とを合金化15する工程と、配線パターン間の保護層を除去する工程とを具備することを特徴としている。

Claim (excerpt)：

基板上もしくは基板上に形成された絶縁層上にアルミニウムを主成分とする配線パターンを形成する工程と、前記配線パターンの上面のみが露出するように前記配線パターン間に保護層を選択的に形成する工程と、前記配線パターン上に前記アルミニウム以外の金属を主成分とする薄膜を形成する工程と、これに熱処理を施して前記アルミニウムを主成分とする配線パターン中に前記金属を拡散させる工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

FI (2)：

H01L 21/88 N ,  H01L 21/88 B