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J-GLOBAL ID：200903099597942410
薄膜堆積装置及び薄膜堆積装置の運用方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
川瀬 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998366468
Publication number (International publication number)：2000192241
Application date： Dec. 24, 1998
Publication date： Jul. 11, 2000
Summary：
【要約】【課題】 溶液気化法を用いた高誘電率薄膜の形成装置はアニールが不可欠であるが、成膜とアニールを異なるチャンバで行っていたので、冷却してから搬送しなければならず、搬送に時間が掛かるし、装置据え付け面積も大きくなる。搬送時の事故もある。よりスループットの高い装置を提供することが目的である。【解決手段】 溶液気化法を用いたシャワーヘッドを有するCVD装置において、反応室内に搬送位置、加熱位置、成膜位置を縦方向に設け、それぞれの位置へサセプタを昇降させる事により、ウエハーを移動させ、各種処理を行うと共にウエハー冷却のための冷却ステージを反応室とは別のチャンバに設ける。運用方法は、反応室で?@ウエハー受取(搬送位置)、?A予備加熱(加熱位置)、?B成膜(成膜位置)、?Cアニール(加熱位置)、?Dウエハー受け出し(搬送位置)、?Eウエハー冷却(冷却ステージ)の手順で行われる。成膜時以外は、シャワーヘッドをクリーニングする。
Claim (excerpt)：
基板に薄膜を成膜しアニールするための縦長の反応室と、基板を搬送するための搬送チャンバと、反応室と搬送チャンバを連絡する連絡管と、連絡管に設けられたゲートバルブと、搬送チャンバの内部に設けられアームによって基板を搬送する搬送機構と、搬送チャンバの内部に設けられる冷却ステージと、反応室の上方に設けられ高誘電率材料を溶液に溶かし気化した溶液気化法による気体原料をガス状に吹き出すシャワーヘッドと、反応室の半ばの高さにおいて側方に進退自在に設けられる加熱機構と、反応室の加熱機構の上に進退自在に設けられシャワーヘッドとの間に電圧を掛けて溶液をプラズマにするプラズマ電極と、反応室の内部に昇降自在に設けられる昇降軸と、昇降軸の上頂部に取り付けられ基板を乗せるべきサセプタと、サセプタの内部に設けられるヒータと、反応室内部を排気する真空排気装置とを有し、サセプタを下げた位置で、基板を搬送機構によって搬送し、サセプタを中位の高さに上げた状態で基板を予備加熱あるいはアニールし、サセプタを最上位に上げた状態でシャワーヘッドから原料気体を吹き付けて高誘電率薄膜を基板上に生成し、搬送チャンバの冷却ステージに基板を搬送して冷却するようにしたことを特徴とする薄膜堆積装置。
IPC (2)：
FI (2)：
F-Term (18)：
4K030BA18
, 4K030BA42
, 4K030DA02
, 4K030DA06
, 4K030DA09
, 4K030EA01
, 4K030EA06
, 4K030FA03
, 4K030GA02
, 4K030GA04
, 4K030GA12
, 4K030KA04
, 4K030KA11
, 4K030KA23
, 4K030KA26
, 4K030KA30
, 4K030KA46
, 4K030LA01
