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J-GLOBAL ID：200903099606019531

金属薄膜の形成方法、および金属微粒子分散液の作製方法

Inventor： 平川 正明 ,  田中 千晶 ,  村上 裕彦 ,  山川 洋幸
Applicant, Patent owner： 日本真空技術株式会社
Agent (1)： 北村 欣一 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999239355
Publication number (International publication number)：2000228374
Application date： Aug. 26, 1999
Publication date： Aug. 15, 2000
Summary：

【要約】【課題】 配線溝、ビアホール、コンタクトホール等の凹部を有する半導体基板に対し、該凹部への配線金属の埋め込みを容易にすることを可能にする技術の提供。【解決手段】 金属原子集合体が有機溶媒に分散された金属微粒子分散液を作製し、この分散液を半導体基板上に塗布し、塗布膜の形成された基板を焼成して有機物質を蒸発、燃焼させ、また所望により、前記焼成の後、焼成により生じた酸化物を還元することにより、金属薄膜を形成し、その後、配線溝、ビアホール、コンタクトホールの凹部に配線に利用する金属を埋め込む。有機溶媒、界面活性剤、有機金属化合物の混合液を加熱することによって、金属原子を析出せしめ、金属原子集合体を調製し、界面活性剤により安定化された金属原子集合体の分散液とする。

Claim (excerpt)：

配線溝、ビアホール、コンタクトホールの凹部に配線に利用する金属を埋め込む前の半導体基板上に、金属原子集合体が有機溶媒に分散された金属微粒子分散液を塗布し、塗布膜の形成された基板を焼成して該基板上の有機物質を蒸発、燃焼させ、該基板上に金属薄膜を形成することを特徴とする金属薄膜形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/288 ,  C23C 24/08 ,  H01L 21/3205

FI (3)：

H01L 21/288 M ,  C23C 24/08 B ,  H01L 21/88 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 埋め込み導電層の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-224954   Applicant：富士通株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-210715   Applicant：株式会社日立製作所