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J-GLOBAL ID：200903099622909350

平坦化方法、パターン形成方法およびパターン加工方法

Inventor： 佐藤 康彦 ,  松山 日出人 ,  井場 淳一郎
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998003623
Publication number (International publication number)：1999204638
Application date： Jan. 12, 1998
Publication date： Jul. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 平坦化特性に優れしかもレジストに対して選択性よくエッチングすることを可能とする。【解決手段】 段差を有する基板11上にシリコンとシリコンとの結合を主鎖に有する有機シリコン化合物を含む溶液を塗布して有機シリコン膜13を形成する工程と、有機シリコン膜13を加熱する工程と、加熱処理された有機シリコン膜13上にレジストパターン14を形成する工程とを有する。

Claim (excerpt)：

段差を有する基板上にシリコンとシリコンとの結合を主鎖に有する有機シリコン化合物を含む溶液を塗布して有機シリコン膜を形成することを特徴とする平坦化方法。

IPC (3)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/312

FI (3)：

H01L 21/90 S ,  H01L 21/312 N ,  H01L 21/30 578