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J-GLOBAL ID：200903099626714783
シリコンインゴット鋳造用鋳型
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小林 英一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994004995
Publication number (International publication number)：1995206419
Application date： Jan. 21, 1994
Publication date： Aug. 08, 1995
Summary：
【要約】【目的】 太陽電池等に用いる半導体シリコンを鋳型に鋳造してインゴットを製造する過程でシリコンと鋳型の付着を防ぎ、かつ離型剤とシリコンインゴットの反応や混入のない離型剤を内面に塗布した鋳型の提案。【構成】 離型剤としてY2 O3 又は第一層にSiO2 、第二層にSiO2 とSi3 N4 の混合層、第三層にSi3 N4 からなる塗布層を設ける。
Claim (excerpt)：
鋳型内面に酸化イットリウムを塗布したことを特徴とするシリコンインゴット鋳造用鋳型。
IPC (3)：
C01B 33/02
, C30B 29/06
, H01L 31/04
