Pat

J-GLOBAL ID：200903099632184990

環状シリコーン誘導体及びその製造法

Inventor： 榊原 誠 ,  中村 元一 ,  吉松 明
Applicant, Patent owner： 花王株式会社
Agent (1)： 有賀 三幸 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994071891
Publication number (International publication number)：1995278308
Application date： Apr. 11, 1994
Publication date： Oct. 24, 1995
Summary：

【要約】【構成】 下記一般式(1)【化1】(式中、R1、R2及びR3は同一でも異なってもよく、それぞれメチル基又はフェニル基を、R4は炭素数7〜30の多環式炭化水素基を、Aは炭素原子、水素原子及び酸素原子からなる二価の基を、nは0〜15の整数を、mは1〜15の整数を示し、n+m≧3である。)で表される環状シリコーン誘導体及びその製造法。【効果】 幅広い温度範囲で液晶性を示し、かつ、熱的安定性の高い低分子化合物であり、表示デバイス等の表示素子用液晶として有用である。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)【化1】(式中、R1、R2及びR3は同一でも異なってもよく、それぞれメチル基又はフェニル基を、R4は炭素数7〜30の多環式炭化水素基を、Aは炭素原子、水素原子及び酸素原子からなる二価の基を、nは0〜15の整数を、mは1〜15の整数を示し、n+m≧3である。)で表される環状シリコーン誘導体。