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J-GLOBAL ID：200903099647568302

磁気抵抗効果素子、磁気再生装置及び磁気記録再生装置

Inventor： 千代延 達雄
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995080997
Publication number (International publication number)：1996279119
Application date： Apr. 06, 1995
Publication date： Oct. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】スピンバルブ磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗効果素子に関し、耐食性及び耐熱性の一層の向上を図る。【構成】バッファ層51aと、バイアス層12と、非磁性導電層14を挟む複数の軟磁性層13,15とが基板11上に順に積層されていることを有する。

Claim (excerpt)：

バッファ層と、バイアス層と、各層間に非磁性導電層を挟む複数の軟磁性層とが基板上に順に積層されていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (4)：

G11B 5/39 ,  G01R 33/09 ,  H01F 10/30 ,  H01L 43/08

FI (4)：

G11B 5/39 ,  H01F 10/30 ,  H01L 43/08 Z ,  G01R 33/06 R