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J-GLOBAL ID：200903099654761606

磁気トンネル接合を製造する方法及び磁気トンネル接合

Inventor： コールステット ヘルマン ,  ロットレンデル ペーター
Applicant, Patent owner： フォルシュングスツェントルム ユーリッヒ ゲーエムベーハー
Agent (1)： 岸本 瑛之助 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001517397
Publication number (International publication number)：2003507884
Application date： Jul. 21, 2000
Publication date： Feb. 25, 2003
Summary：

【要約】【課題】 半導体技術において利用される通常のプロセスと両立性を有し、かつ半導体回路内への集積化にとって望ましい電気的特性を有する磁気トンネル接合を製造する。【解決手段】 磁気トンネル接合を製造する方法は、金属層を、第1の強磁性層(1)上に堆積させかつ絶縁層(3)を形成するために酸化し、第2の強磁性層(2)を、絶縁層(3)上に形成し、その際、金属層の酸化をUV光によって支援するものである。

Claim (excerpt)：

金属層を、第1の強磁性層(1)上に堆積させかつ絶縁層(3)を形成するために酸化し、 絶縁層(3)上に第2の強磁性層(2)を形成する、 磁気トンネル接合を製造する方法において、 金属層の酸化をUV光によって支援する ことを特徴とする、磁気トンネル接合を製造する方法。

IPC (5)：

H01L 43/12 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (5)：

H01L 43/12 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447 ,  G01R 33/06 R

F-Term (11)：

2G017AA01 ,  2G017AD54 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034BA15 ,  5D034DA07 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA27 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39