Pat

J-GLOBAL ID：200903099655887395

キャパシタ、電極又は配線構造、及び半導体装置

Inventor： 沼田 乾 ,  青木 克裕 ,  福田 幸夫 ,  西村 明俊
Applicant, Patent owner： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
Agent (1)： 佐々木 聖孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994039093
Publication number (International publication number)：1995226444
Application date： Feb. 14, 1994
Publication date： Aug. 22, 1995
Summary：

【要約】【構成】 α線放出源(特にPt電極)を有するキャパシタ、電極又は配線等において、ニッケル、コバルト、銅、タングステン及びこれらの少なくとも2種の化合物又は合金、或いはシリコンとの化合物又は合金から選ばれた少なくとも1種を含有する層(α線遮蔽材)18を設けていること。【効果】 効果的にα線を遮蔽でき、ソフトエラーの発生を抑制することができ、Pt等からなる新しい材料の電極や配線が使用可能となり、またモールド樹脂のコストダウンも図ることができる。

Claim (excerpt)：

第1の電極層と、この第1の電極層に接して形成された絶縁層と、この絶縁層を介して前記第1の電極層の対極として形成された第2の電極層と、この第2の電極層の側に形成された導電層とによって構成され、この導電層が、ニッケル、コバルト、銅又はタングステンからなる金属単体と、これらの金属単体の少なくとも2種を含む化合物又は合金と、前記金属単体とシリコンとの化合物又は合金とから選ばれた少なくとも1種の金属単体、化合物又は合金を含有しているキャパシタ。

IPC (5)：

H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3)：

H01L 27/10 325 J ,  H01L 21/88 M ,  H01L 27/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-006061   Applicant：三菱電機株式会社
• 非対称強誘電体コンデンサ及びその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-056269   Applicant：ラムトロン・インターナショナル・コーポレーション