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J-GLOBAL ID：200903099659434611

プラズマ処理装置の制御方法

Inventor：
石井 信雄

About 石井 信雄


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 亀谷 美明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993284207
Publication number (International publication number)：1995122544
Application date： Oct. 20, 1993
Publication date： May. 12, 1995
Summary：
【要約】【目的】 被処理体の裏面に伝熱媒体を供給した場合であっても、安定的に被処理体を静電チャックに吸着させることが可能な制御方法を提供する。【構成】 プラズマ処理時には、静電チャック手段に直流電圧を印加し、さらに処理容器内にプラズマを励起し、静電チャックによる吸着保持をより安定させた後に、被処理体の裏面に伝熱媒体を供給するので、伝熱媒体の供給圧力により被処理体が静電チャックから外れる事故を防止することができる。またプラズマ終了時には、被処理体の裏面への伝熱媒体の供給を停止してから、プラズマを停止するので、プラズマの停止により静電チャックによる保持力が低下しても、伝熱媒体の供給圧力により被処理体が静電チャックから外れる事故を防止することができる。
Claim (excerpt)：
処理室の外部に絶縁体を介して配置された高周波アンテナに高周波電力を印加することによりその処理室内に誘導プラズマを励起して、その処理室内に配置された被処理体に所定の処理を施すプラズマ処理装置を制御するにあたり、前記被処理体を載置台に吸着固定する静電チャック手段に直流電圧を印加し、さらに前記高周波アンテナに高周波電力を印加してから、前記静電チャック手段と前記被処理体との間に伝熱媒体を供給することを特徴とする、プラズマ処理装置の制御方法。
IPC (2)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/68
FI (2)：
H01L 21/302 B ,  H01L 21/302 A
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
  • 特開平2-069956
  • 特開平2-069956
  • 特開平4-290225
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