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J-GLOBAL ID：200903099664210713

GaN系化合物半導体結晶およびその製造方法

Inventor： 甲斐荘 敬司 ,  佐々木 伸一
Applicant, Patent owner： 株式会社日鉱マテリアルズ
Agent (1)： 荒船 博司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001119759
Publication number (International publication number)：2002313741
Application date： Apr. 18, 2001
Publication date： Oct. 25, 2002
Summary：

【要約】【課題】 希土類13(3B)族ペロブスカイトを基板として用いたGaN系化合物半導体結晶の製造方法において、コンタミネーションの発生を効果的に抑制する技術を提供する。【解決手段】 1または2種類以上の希土類元素を含む希土類13(3B)族ペロブスカイト結晶を基板としてその表面にGaN系化合物半導体結晶を成長させる方法において、前記基板の少なくとも裏面をSiO2で被覆して、基板の構成元素である希土類元素が結晶成長中に取り込まれるのを防止するようにした。

Claim (excerpt)：

1または2種類以上の希土類元素を含む希土類13(3B)族ペロブスカイト結晶を基板としてその表面にGaN系化合物半導体結晶を成長させる方法において、前記基板の少なくとも裏面をSiO2で被覆することを特徴とするGaN系化合物半導体結晶の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38

FI (2)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38 D

F-Term (24)：

4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077EB06 ,  4G077EE06 ,  4G077TK01 ,  5F045AB14 ,  5F045AB32 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AD10 ,  5F045AD14 ,  5F045AF05 ,  5F045AF11 ,  5F045AF13 ,  5F045BB06 ,  5F045BB07 ,  5F045BB12 ,  5F045BB14 ,  5F045CA10 ,  5F045EB13 ,  5F045EE12 ,  5F045HA04