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J-GLOBAL ID：200903099680657680

半導体ガス検知素子によるガス検知方法及びその装置

Inventor：
翁長 一夫

About 翁長 一夫


Applicant, Patent owner：
エフアイエス株式会社

About エフアイエス株式会社


Agent (1)： 西川 惠清 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998119633
Publication number (International publication number)：1999311612
Application date： Apr. 28, 1998
Publication date： Nov. 09, 1999
Summary：
【要約】【課題】略連続的にガス検知が可能な半導体ガス検知素子による検知方法及び検知装置を提供するにある。【解決手段】マイクロコンピュータ3は半導体ガス検知素子1のヒータ2の通電を高温期間と低温期間とを所定周期で交互に設定し、それぞれの期間において1秒周期で、半導体ガス検知素子1の感ガス体の抵抗値をサンプリングする。各サンプリングタイミング毎に当該タイミングに対応して設定してある基準値Rsmh0(t)又はRsmL0(t)から当該タイミングで検知した感ガス体の抵抗値Rsh(t)又はRsL(t)を差し引くとともにその差の値Rsmh0(t)又はRsmh0(t)で除して変化率Sh又はSLを求める。その変化率Sh又はSLがCH4 の判定値V1又はCOの判定値V2を越えるか否かを判定し、越えている場合にはブザー6を鳴動させて、警報を発する。
Claim (excerpt)：
感ガス体と該感ガス体を加熱するヒータとを有し、感ガス体の抵抗値変化をセンサ出力とする半導体ガス検知素子を用い、上記ヒータヘの通電を制御して感ガス体の温度を高温とする高温期間と低温とする低温期間とを所定周期で交互に設定し、被検知ガスに応じて低温期間若しくは高温期間の感ガス体の抵抗値変化を検知し、該抵抗値変化に基づいてガス成分を検知する半導体ガス検知素子によるガス検知方法において、抵抗値変化を検知する開始時点から当該期間中に予め決められた所定時間間隔でセンサ出力を複数サンプリングし、各サンプリングタイミング毎に検出した感ガス体の抵抗値と、当該サンプリングタイミングに対応して設定される基準値との差を求めるとともに、その差の値と被検知ガスに応じて設定している判定値とを比較して、所定濃度以上の被検知ガスの有無を判定することを特徴とする半導体ガス検知素子によるガス検知方法。
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (2)

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