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J-GLOBAL ID：200903099696994430

超格子構造体及び半導体発光素子

Inventor： 藤井 宏明
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993071403
Publication number (International publication number)：1994283822
Application date： Mar. 30, 1993
Publication date： Oct. 07, 1994
Summary：

【要約】【目的】キャリア・オーバフローを抑制し、入射電子またはホールを有効に閉じ込めることを目的とする。【構成】バンドギャップの異なる複数の結晶を組み合わせ、これら結晶の層厚またはバンドギャップを、入射電子またはホールの反射波が位相を強め合うように構成した超格子構造体において、少なくとも1種類の結晶の層厚またはバンドギャップを連続的に変化させたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

バンドギャップの異なる複数の結晶を組み合わせて成る超格子構造体において、超格子構造体へ入射するキャリアの反射波が位相を強め合うように前記結晶の層厚またはバンドキャップを構成し、さらに、少なくとも1種類の結晶の層厚またはバンドキャッブを連続的に変化させたことを特徴とする超格子構造体。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00