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J-GLOBAL ID：200903099715558256

エッチング方法

Inventor： 輿石 公
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 金本 哲男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995302138
Publication number (International publication number)：1997129611
Application date： Oct. 26, 1995
Publication date： May. 16, 1997
Summary：

【要約】【課題】 被処理基板上の酸化シリコン系材料層をC4F8ガスを用いてエッチングするにあたり、COを添加せずとも高いエッチングレートが確保でき、かつデポの少ないエッチング特性を得る。【解決手段】 減圧自在な処理室2内に所定の処理ガスを導入し、数mTorr〜100mTorr程度の減圧度の下で処理室2内にプラズマを発生させて、ウエハW上の酸化シリコン系材料層をエッチングするにあたり、処理ガスとしてC4F8ガス/希ガス/O2を用いると共に、C4F8ガスの分圧を0.5mTorr〜1.5mTorr、C4F8ガス:O2の比を1:1.5〜5に設定してエッチングする。

Claim (excerpt)：

減圧自在な処理室内に所定の処理ガスを導入し、所定の減圧度の下でこの処理室内にプラズマを発生させて、この処理室内の被処理基板上の酸化シリコン系材料層をエッチングする方法であって、処理ガスとしてC4F8ガスと希ガスとO2を用いると共に、C4F8ガスのプロセス圧に対する分圧を0.5mTorr〜1.5mTorr、C4F8ガス:O2の比を1:1.5〜5に設定してエッチングすることを特徴とする、エッチング方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46

FI (5)：

H01L 21/302 F ,  C23F 4/00 A ,  C23F 4/00 E ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 C