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J-GLOBAL ID：200903099721928596

電子ビームを用いた微細孔膜の製造法

Inventor： 浅野 雅春 ,  伊藤 洋 ,  吉田 勝 ,  諏訪 武 ,  瀬口 忠男
Applicant, Patent owner： 日本原子力研究所
Agent (1)： 社本 一夫 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997341421
Publication number (International publication number)：1999170378
Application date： Dec. 11, 1997
Publication date： Jun. 29, 1999
Summary：

【要約】【課題】 0.2nm〜200um径のサイズに絞った電子ビームを膜表面に照射後、化学エッチング処理を施すことにより多数の孔を形成した微細孔膜の製造法。【解決手段】 膜の表面に電子ビームを照射した後に、アルカリ溶液、酸性溶液、酸化剤などによる化学エッチング処理を施すことによって多数の孔を形成する微細孔膜を製造する方法であり、その電子ビーム照射は、20〜2000keVのエネルギー、10μA〜1mAの総電流値をもつ電子ビームを0.2nm〜200μm径のサイズに絞って照射することによって行われる。

Claim (excerpt)：

膜の表面に電子ビームを照射することによって多数の孔を形成することを特徴とする微細孔膜の製造法。

IPC (3)：

B29C 67/20 ,  B01D 67/00 500 ,  B29K105:04

FI (2)：

B29C 67/20 A ,  B01D 67/00 500

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開昭62-044264