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J-GLOBAL ID：200903099723302996

成膜方法

Inventor： 前田 和夫 ,  徳増 徳 ,  湯山 芳章
Applicant, Patent owner： キヤノン販売株式会社 ,  アルキヤンテック株式会社 ,  株式会社半導体プロセス研究所
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993281157
Publication number (International publication number)：1995135204
Application date： Nov. 10, 1993
Publication date： May. 23, 1995
Summary：

【要約】【目的】CVD法を用いたBSG膜の成膜方法に関し、低温で成膜した直後でも、高い緻密性と低い吸湿性を有するBSG 膜が得られる成膜方法を提供する。【構成】Si-O-Bの結合を有する有機金属化合物とオゾン(O3)の混合ガスを用いて基板1上にホウケイ酸ガラス膜(BSG膜) を形成することを含み構成する。

Claim (excerpt)：

Si-O-Bの結合を有する有機金属化合物とオゾン(O3)の混合ガスを用いて基板上にホウケイ酸ガラス膜(BSG膜) を形成する成膜方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31