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J-GLOBAL ID：200903099724852892

光半導体装置の製造方法

Inventor： 阪田 康隆
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997266645
Publication number (International publication number)：1999112102
Application date： Sep. 30, 1997
Publication date： Apr. 23, 1999
Summary：

【要約】【課題】MOVPE選択成長法を用いてInGaAsP系の半導体光導波路構造の直接形成を行う場合、導波路断面を平坦にし、良好な結晶性を実現する。【解決手段】V族原料は連続的に供給する一方、III族原料の供給をパルス的に行い、V族待機中にIII族原料の半導体表面でのマイグレーションを促進させる。これにより、MOVPE選択成長で直接形成する半導体層の結晶品質が大幅に向上し、表面が平坦になる。

Claim (excerpt)：

半導体層からなる光導波路を、選択的有機金属気相成長法によって直接半導体基板上に形成する光半導体装置の製造方法において、前記選択的有機金属気相成長における原料の供給をパルス的に行う事を特徴とする光半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 化合物半導体とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-141806   Applicant：三菱化成株式会社
• 特開平2-166722