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J-GLOBAL ID：200903099725497379
半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997095562
Publication number (International publication number)：1998290006
Application date： Apr. 14, 1997
Publication date： Oct. 27, 1998
Summary：
【要約】【課題】ゲート電極の開口部が長方形のストライプ構造のIGBTでは、ゲートの端部と中央部間の抵抗が大きいとゲート中央部の電流の遮断が遅いため、電流集中を生じ、IGBTが破壊してしまう。従来は、ゲート電極材料としてポリシリコンが使われてきた。ポリシリコンは抵抗が大きいため、ゲートの端部と中央部間の抵抗を下げるためには、多くのゲート配線領域を設け、ゲートの端部と中央部間の距離を小さくしなければならず、チップが有効に使えないという問題があった。ゲート抵抗を低減し、遮断電流を向上するとともに、ゲート領域を小さくしチップ面積利用率を向上する。【解決手段】ゲート電極材料にシリサイド層11を使用する。【効果】シリサイドは、ポリシリコンに比べ抵抗が1桁以上低いので、ストライプ構造にて、端部と中央部の長さを長くしてもゲート抵抗を小さくできる。
Claim (excerpt)：
第1導電型の第1の半導体層と、前記第1の半導体層上に形成された第2導電型の第2の半導体層と、前記第2の半導体層内に複数個形成された第1導電型の第3の半導体層と、前記第3の半導体層内に形成された第2導電型の第4の半導体層と、前記第1の半導体層とオーミック接触する第1の主電極と前記第3の半導体層と前記第4の半導体層にオーミック接触する第2の主電極と前記第2,3及び4の半導体層上に形成された絶縁膜と前記絶縁膜上に形成されたゲート電極を有し、前記ゲート電極の開口部が長方形に設けられている半導体装置において、前記ゲート電極がシリサイドであることを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
FI (4)：
H01L 29/78 652 K
, H01L 29/46 T
, H01L 29/78 655 A
, H01L 29/78 655 F
