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J-GLOBAL ID：200903099733269164

半導体装置

Inventor： 当山 勝利
Applicant, Patent owner： 株式会社村田製作所
Agent (1)： 岡田 和秀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993097705
Publication number (International publication number)：1994310545
Application date： Apr. 23, 1993
Publication date： Nov. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】半導体装置の最高発熱温度を下げるとともに、半導体装置を構成する各増幅部の発熱温度を均一化する。【構成】並列配置した複数のゲート櫛歯電極2cを備えるとともに、これらゲート櫛歯電極2cの配置間隔Wをゲート櫛歯電極2cの配列方向中央部が最も広く、かつ配列方向端部にいくにしたがって狭くした半導体装置。

Claim (excerpt)：

並列配置した複数のゲート櫛歯電極(2c)を備えるとともに、これらゲート櫛歯電極(2c)の配置間隔(W)をゲート櫛歯電極(2c)の配列方向中央部が最も広く、かつ配列方向端部にいくにしたがって狭くしたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭62-293781
  
• 特開昭61-168959