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J-GLOBAL ID：200903099750280848

プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法

Inventor： 北川 英夫
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999074937
Publication number (International publication number)：2000164580
Application date： Mar. 19, 1999
Publication date： Jun. 16, 2000
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、負イオンを連続的にかつ高密度に生成するとともに、当該負イオンを被処理体に入射させることによって、被処理体に対してアッシングエッチングやクリーニング等の不要物の除去を行うことが可能であり、その結果、高い処理速度や少ないチャージアップダメージを実現できる、プラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 本発明に係るプラズマ処理装置は、真空容器と、前記真空容器内に処理体を支持する為の支持手段とを有するプラズマ処理装置において、プラズマ発生空間に第一のガスを導入する手段と、前記プラズマ発生空間内の前記第一のガスに電気エネルギーを供給してプラズマを発生させる手段と、前記プラズマ発生空間に連通する負イオン生成空間内に導入された前記プラズマに、第二のガスを混合して負イオンを生成する手段と、前記負イオンを引き出して前記被処理体に供給する手段と、を具備することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

真空容器と、前記真空容器内に処理体を支持する為の支持手段とを有するプラズマ処理装置において、プラズマ発生空間に第一のガスを導入する手段と、前記プラズマ発生空間内の前記第一のガスに電気エネルギーを供給してプラズマを発生させる手段と、前記プラズマ発生空間に連通する負イオン生成空間内に導入された前記プラズマに、第二のガスを混合して負イオンを生成する手段と、前記負イオンを引き出して前記被処理体に供給する手段と、を具備することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01J 27/02 ,  H01J 37/08 ,  H01J 37/305 ,  H05H 1/46

FI (7)：

H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 G ,  H01J 27/02 ,  H01J 37/08 ,  H01J 37/305 A ,  H05H 1/46 B ,  H01L 21/302 F

F-Term (58)：

4K057DA02 ,  4K057DB01 ,  4K057DD01 ,  4K057DD05 ,  4K057DD08 ,  4K057DE01 ,  4K057DE02 ,  4K057DE06 ,  4K057DE07 ,  4K057DE08 ,  4K057DE09 ,  4K057DE11 ,  4K057DE14 ,  4K057DG06 ,  4K057DG12 ,  4K057DM01 ,  4K057DM02 ,  4K057DM21 ,  4K057DM28 ,  4K057DM29 ,  4K057DN01 ,  4K057DN03 ,  5C030DD01 ,  5C030DD02 ,  5C030DE01 ,  5C030DE04 ,  5C030DE05 ,  5C030DG01 ,  5C034BB06 ,  5C034BB09 ,  5F004AA06 ,  5F004BA03 ,  5F004BA04 ,  5F004BA13 ,  5F004BA14 ,  5F004BA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB14 ,  5F004BB18 ,  5F004BB28 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA03 ,  5F004DA04 ,  5F004DA05 ,  5F004DA06 ,  5F004DA08 ,  5F004DA10 ,  5F004DA11 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA26 ,  5F004DA27 ,  5F004DB02 ,  5F004DB08 ,  5F004DB12 ,  5F004EB02