プラズマ処理装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：高山宏志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002288769
Publication number (International publication number)：2004128141
Application date： Oct. 01, 2002
Publication date： Apr. 22, 2004
Summary：

【課題】長寿命なマイクロ波発振器を備えたプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】プラズマエッチング装置1は、チャンバ11と、所定電力のマイクロ波を発振するマイクロ波発振器30と、マイクロ波発振器30から出力された後にマイクロ波発振器30へ戻ろうとする反射マイクロ波を吸収するアイソレータ35と、マイクロ波をチャンバ11の処理空間17に向けて放射するアンテナ13と、アンテナ13からの反射マイクロ波を低減するマッチャー36とを有する。マイクロ波発振器30は、所定周波数のマイクロ波を発生させるマイクロ波発生器31と、マイクロ波発生器31から発振されたマイクロ波を複数のマイクロ波に分配する分配器32と、分配器32から出力された複数のマイクロ波を個別に半導体増幅素子42によって所定の電力に増幅する複数のアンプ33と、アンプ33によって増幅されたマイクロ波を合成する合成器34と、を有する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

被処理基板を収容するチャンバと、前記チャンバ内に処理ガスを供給するガス供給装置と、前記チャンバ内にプラズマ生成用のマイクロ波を導入するマイクロ波導入装置と、を具備し、前記マイクロ波導入装置は、低電力のマイクロ波を半導体増幅素子によって増幅させることにより前記チャンバ内に放射する大電力のマイクロ波を生成するアンプを有することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4)：

H01L21/3065 , C23C16/511 , H01L21/205 , H05H1/46

FI (5)：

H01L21/302 101D , C23C16/511 , H01L21/205 , H05H1/46 B , H05H1/46 R

F-Term (17)：

4K030CA04 , 4K030FA02 , 4K030KA30 , 4K030KA41 , 5F004AA16 , 5F004BA20 , 5F004BB14 , 5F004BC08 , 5F004BD04 , 5F045AA03 , 5F045BB10 , 5F045BB20 , 5F045DP03 , 5F045DQ10 , 5F045EH02 , 5F045EH04 , 5F045EH19

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

特開平3-194893
特開昭61-032388
小型マイクロ波ダウンストリーム・プラズマ・システム
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-503691 Applicant：ラムリサーチコーポレーション

Cited by examiner (3)

特開平3-194893
特開昭61-032388
小型マイクロ波ダウンストリーム・プラズマ・システム
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-503691 Applicant：ラムリサーチコーポレーション

Return to Previous Page