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J-GLOBAL ID：200903099753879015

フォトレジスト膜のパターン形成方法

Inventor： 池田 和斎
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997054323
Publication number (International publication number)：1998256114
Application date： Mar. 10, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】 フォトレジスト膜マスクを使用して加工した際の加工後寸法及び加工後形状の面内均一性を向上させるように改良した、フォトレジスト膜のパターン形成方法を提供する。【解決手段】 本方法は、ウエハ面のフォトレジスト膜をショット対象領域毎にステップ&リピート露光するフォトリソグラフィ技法によってフォトレジスト膜のマスクパターンを形成するパターン形成方法であって、ウエハ面のショット対象領域の各々をウエハ中心から略同心円状に位置する複数個のグループに区分するステップS<SB>1 </SB>と、グループ毎に個別の露光条件を設定するステップS<SB>2 </SB>と、各グループのショット対象領域をそのグループに対応する設定露光条件下で露光するステップS<SB>3 </SB>と、ウエハ上に形成したパターンの加工後寸法及び加工後形状のデータに基づいて、設定露光条件を修正するステップS<SB>4 </SB>とを有する。

Claim (excerpt)：

ウエハ面のフォトレジスト膜をショット対象領域毎にステップ&リピート露光するフォトリソグラフィ技法によってフォトレジスト膜のマスクパターンを形成するパターン形成方法において、各ショット対象領域のショット中心とウエハ中心との距離を基準にして、ウエハ面のショット対象領域の各々をウエハ中心から略同心円状に位置する複数個のグループに区分するステップと、グループ毎に個別の露光条件を設定するステップと、各グループのショット対象領域をそのグループに対応して設定された露光条件下で露光するステップとを有することを特徴とするフォトレジスト膜のパターン形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521

FI (3)：

H01L 21/30 514 C ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 516 D