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J-GLOBAL ID：200903099766243624

半導体メモリセル及びその製造方法

Inventor： ヨング クヮン ジュン
Applicant, Patent owner： ゴールド スター エレクトロン カンパニー リミテッド
Agent (1)： 中村 純之助 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992264814
Publication number (International publication number)：1993218347
Application date： Oct. 02, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】金属配線層の加工精度を向上させることのできる構成の半導体メモリセル及びその製造方法を提供すること。【構成】上記目的は、記憶電極、誘電体層及びプレート電極からなるコンデンサをビット線上に形成した一次金属配線と最終金属配線との間に配置してなることを特徴とする半導体メモリセルとすることによって達成することができる。

Claim (excerpt)：

記憶電極、誘電体層及びプレート電極からなるコンデンサをビット線上に形成した一次金属配線と最終金属配線との間に配置してなることを特徴とする半導体メモリセル。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特開平1-175756
  
• 特開平3-072673
  
• 特開平4-297064
  

Cited by examiner (3)

• 特開平1-175756
  
• 特開平3-072673
  
• 特開平4-297064