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J-GLOBAL ID：200903099768891836

半導体装置用絶縁膜の堆積方法

Inventor： 神山 道也
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993015028
Publication number (International publication number)：1994232113
Application date： Feb. 02, 1993
Publication date： Aug. 19, 1994
Summary：

【要約】【目的】プラズマCVD法により、集積回路用絶縁保護膜としてストレス面で集積回路に悪影響のない程度の内部応力となり、外部からの腐蝕性薬品に対する耐蝕性や耐透水性の高い膜の堆積方法を提供する。【構成】ECRプラズマCVD用装置を用い、集積回路をまず低応力性で段差被覆性の良い酸化シリコン膜で覆い、次いで酸化シリコン膜から耐薬品性や耐透水性の高い窒化シリコン膜へと連続的に遷移させた膜を堆積し、その上に窒化シリコン膜を堆積させる。

Claim (excerpt)：

半導体装置がつくりこまれたウエハ面にプラズマCVD法により絶縁膜を堆積する方法であって、絶縁膜の形成に与かる雰囲気ガス中の一部を電子サイクロトロン共鳴法によりプラズマ化して残りのガスと反応させることにより絶縁膜を堆積させようとする装置にあって、まず酸化シリコン膜を堆積し、次いで酸化シリコン膜から窒化シリコン膜へと連続的に遷移させた膜を堆積し、その上に窒化シリコン膜を堆積させることを特徴とする半導体装置用絶縁膜の堆積方法。

IPC (4)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H05H 1/46