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J-GLOBAL ID：200903099773811310

レーザアニール装置

Inventor： 森 祐二 ,  三上 佳朗 ,  桑原 和広
Applicant, Patent owner： 株式会社ジーティシー
Agent (1)： 志賀 正武 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994059585
Publication number (International publication number)：1995266064
Application date： Mar. 29, 1994
Publication date： Oct. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】 レーザ光を照射してシリコン薄膜の再結晶化などを行うレーザアニール装置において、レーザ光の照射部分の継ぎ目部分の不均一性を抑えるとともに再結晶化に要する時間を短縮する。【構成】 レーザ1からのレーザ光2をアッティネータ3でそのエネルギを変化させ、ホモジナイザ4でエネルギ均一性を高め、レンズ系5でレーザ光2の大きさを定めたのち、ビーム分割系6に送り、複数のレーザ光2a,2bに分割して、2次元移動する基板7上のシリコン膜8に照射する。

Claim (excerpt)：

レーザ光を発振するレーザと、前記レーザ光内のエネルギ均一性を向上させるホモジナイザと、前記レーザ光を所定の大きさに変化させる光学系と、前記レーザ光を基板上に2次元に照射するための移動機構と、前記基板を減圧中に保持することができる真空チャンバーからなるレーザアニール装置において、前記光学系からのレーザ光を複数に分割して基板に照射する分割光学系を具備したことを特徴とするレーザアニール装置。

IPC (13)：

B23K 26/00 ,  B23K 26/06 ,  B23K 26/12 ,  C21D 1/09 ,  C21D 1/34 ,  C22F 3/00 ,  C30B 29/06 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01S 3/10 ,  H01S 3/225 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2)：

H01S 3/223 E ,  H01L 29/78 311 Y

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• レーザアニール処理装置及びその制御方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-069049   Applicant：株式会社光昭製作所, 茂呂昭, 柴田佳明
• 特開平2-295692