プラズマ処理装置およびそれに用いられる電極

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高山宏志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999126878
Publication number (International publication number)：2000323456
Application date： May. 07, 1999
Publication date： Nov. 24, 2000
Summary：

【要約】【課題】より微細化に対応可能な高密度プラズマを用いたプラズマ処理において、電極表面における電界分布の不均一を小さくすることが可能なプラズマ処理装置およびそれに用いられる電極を提供すること。【解決手段】被処理基板Wに所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、上部電極21は、下部電5に対向するように設けられた電極板23を備え、この電極板23は、導電体または半導体で構成された外側部分61と、誘電体部材または外側部分より高抵抗の高抵抗部材で構成された中央部分62とを有し、上部電極21には、その下部電極5と反対側の面から高周波電力が印加される。

Claim (excerpt)：

チャンバー内に第1および第2の電極を互いに平行に設け、前記第2の電極に被処理基板を支持させた状態で、減圧下に保持されたチャンバー内に処理ガスを導入しつつ上記第1および第2の電極間に高周波電界を形成して処理ガスのプラズマを生成し、このプラズマにより被処理基板に所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、前記第1の電極は、第2の電極に対向するように設けられた電極板を備え、この電極板は、導電体または半導体で構成された外側部分と、誘電体部材または外側部分より高抵抗の高抵抗部材で構成された中央部分とを有し、前記第1の電極には、その前記第2の電極と反対側の面から高周波電力が印加されることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H01L 21/31 , H05H 1/46 , C23C 14/34 , C23C 14/50

FI (6)：

H01L 21/302 C , C23F 4/00 C , H01L 21/31 C , H05H 1/46 M , C23C 14/34 T , C23C 14/50 Z

F-Term (40)：

4K029BD01 , 4K029DC28 , 4K029DC35 , 4K057DA16 , 4K057DD01 , 4K057DE06 , 4K057DE14 , 4K057DM05 , 4K057DM06 , 4K057DM09 , 4K057DM17 , 4K057DM18 , 4K057DM28 , 4K057DM33 , 4K057DM39 , 5F004AA01 , 5F004BA06 , 5F004BA07 , 5F004BA20 , 5F004BB11 , 5F004BB13 , 5F004BB22 , 5F004BB25 , 5F004BB29 , 5F004DA01 , 5F004DA16 , 5F004DA22 , 5F004DA23 , 5F004DA25 , 5F045AA08 , 5F045BB01 , 5F045DP02 , 5F045EH04 , 5F045EH05 , 5F045EH08 , 5F045EH13 , 5F045EH19 , 5F045EJ02 , 5F045EM05 , 5F045EM07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

ドライエッチング方法及びドライエッチング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-215319 Applicant：セイコーエプソン株式会社, 東京エレクトロン株式会社
表面処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-114235 Applicant：アネルバ株式会社
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-340614 Applicant：東京エレクトロン株式会社

Return to Previous Page