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J-GLOBAL ID：200903099798537697

薄膜の形成方法及び薄膜形成装置

Inventor： 赤堀 孝
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 井内 龍二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992268808
Publication number (International publication number)：1993211134
Application date： Oct. 07, 1992
Publication date： Aug. 20, 1993
Summary：

【要約】【構成】 有磁場プラズマCVD法においてTiCl4 、H2及びArガスを使用して基板温度1000°C以下の条件下、半導体基板上にTi膜を形成することを特徴とする薄膜の形成方法。【効果】 低温でTi膜あるいはTiリッチなTiN膜をコンタクト部に形成することができ、安定したコンタクトを形成することができる。

Claim (excerpt)：

有磁場プラズマCVD法において TiCl4とH2または TiCl4とH2とArガスとを使用し、基板上にTi膜を形成することを特徴とする薄膜の形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/285 ,  C23C 16/14 ,  C23C 16/50