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J-GLOBAL ID：200903099798741650
分布反射型半導体レーザ
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小池 龍太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992182981
Publication number (International publication number)：1994005980
Application date： Jun. 17, 1992
Publication date： Jan. 14, 1994
Summary：
【要約】【目的】波長制御領域のみ加熱し、発光領域に対して加熱することがないので、素子の寿命を維持しつつ、スペクトル線幅の大きな劣化もなく、波長が変化させることができる分布反射型半導体レーザを提供する。【構成】半導体基板上に、発光領域11と、波長制御領域14とがレーザ共振軸方向につらなって形成されている分布反射型半導体レーザであって、発光領域は波長可変領域から熱的に独立し、かつ波長制御領域の上部には、波長制御領域を加熱するための加熱手段9を備えている。
Claim (excerpt)：
半導体基板(1)上に、発光領域(11)と、波長制御領域(14)とがレーザ共振軸方向につらなって形成されている分布反射型半導体レーザにおいて、前記発光領域は前記波長制御領域から熱的に独立し、かつ前記波長制御領域の上部には、前記波長制御領域を加熱するための加熱手段(9)を備えたことを特徴とする分布反射型半導体レーザ。
Patent cited by the Patent：
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