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J-GLOBAL ID：200903099805541611

光電変換素子及びその形成方法

Inventor： 都築 幸司 ,  藤崎 達雄 ,  三村 敏彦 ,  高田 健司
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993268395
Publication number (International publication number)：1995099331
Application date： Sep. 30, 1993
Publication date： Apr. 11, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 本発明は、体積が小さく且つ低抵抗な集電電極を設けることにより、高光電変換効率、低コストの光電変換素子とその形成方法を提供することを目的とする。【構成】 受光面上に集電電極を有する光電変換素子において、該集電電極は、前記受光面側から第1の導電性材料101、該第2の導電性材料102、及び前記第2の導電性材料よりも高融点の低抵抗金属線体103、の順に積層されたものであることを特徴とする。また、受光面上に集電電極を有する光電変換素子において、該集電電極は、前記受光面に形成された第1の導電性材料と、前記受光面には濡れ性のない第2の導電性材料と、低抵抗金属線体とから少なくとも構成され、前記低抵抗金属線体が前記第2の導電性材料により前記第1の導電性材料の上に固定されていることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

受光面上に集電電極を有する光電変換素子において、該集電電極は、前記受光面側から第1の導電性材料、第2の導電性材料、及び前記第2の導電性材料よりも高融点の低抵抗金属線体、の順に積層されたものであることを特徴とする光電変換素子。