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J-GLOBAL ID：200903099808493766

透明導電膜の製造方法

Inventor： 久保田 高史 ,  渡辺 弘
Applicant, Patent owner： 三井金属鉱業株式会社
Agent (1)： 伊東 辰雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992178832
Publication number (International publication number)：1994002134
Application date： Jun. 15, 1992
Publication date： Jan. 11, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ターゲット表面の林立黒化現象を防止することによって膜形成速度の変動および膜比抵抗の劣化を抑制し、高品質のITO透明導電膜の安定した連続的な製造方法を提供する。【構成】 インジウム-錫酸化物ターゲットを用いたスパッタリング法による透明導電膜の製造方法において、該スパッタリングに高周波放電を用いることを特徴とする透明導電膜の製造方法。

Claim (excerpt)：

インジウム-錫酸化物ターゲットを用いたスパッタリング法による透明導電膜の製造方法において、該スパッタリングに高周波放電を用いることを特徴とする透明導電膜の製造方法。