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J-GLOBAL ID：200903099815169028

半導体ガスレートセンサの製造方法

Inventor： 笛木 信宏 ,  稲葉 敦 ,  栗山 斉昭
Applicant, Patent owner： 本田技研工業株式会社
Agent (1)： 佐藤 辰彦 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994012924
Publication number (International publication number)：1995218527
Application date： Feb. 04, 1994
Publication date： Aug. 18, 1995
Summary：

【要約】【目的】 接着剤がノズル孔に流出するのを防止して良好なガスの流れを得ることができる半導体ガスレートセンサの製造方法を提供する。【構成】 半導体ガスレートセンサは、第1の半導体基板1と接合面に熱硬化型接着剤層2が形成された第2の半導体基板3とを互いに接着することによって形成され、内部にガス流路4と該ガス流路にガスを噴出するためのノズル孔5とを有する基体6を備える。基体6内には基体6に角速度が作用したときのガス流の偏向の状態を検出する検出部7,8がガス流路4に跨がって設けられている。ノズル孔5は、第1の基板1の接合面に形成された溝部12と第2の基板3の接合面とを合わせることによって形成される。かかる半導体ガスレートセンサの製造方法において、第1の基板1と前記第2の基板3とを互いに接合した後、第2の基板3を下にした状態で加熱することにより両者を接着する。

Claim (excerpt)：

第1の半導体基板と接合面に熱硬化型接着剤層が形成された第2の半導体基板とを互いに接着することによって形成され、内部にガス流路と該ガス流路にガスを噴出するためのノズル孔とを有する基体と、前記ガス流路に跨がって設けられ、該基体に角速度が作用したときのガス流の偏向の状態を検出する検出部とを備え、前記ノズル孔は、前記第1の半導体基板の接合面に形成された溝部と前記第2の半導体基板の接合面とを合わせることによって形成される半導体ガスレートセンサの製造方法において、前記第1の半導体基板と前記第2の半導体基板とを互いに接合した後、前記第2の半導体基板を下にした状態で加熱することにより両者を接着することを特徴とする半導体ガスレートセンサの製造方法。