シリコンウェハー上の有機単分子膜の光パターニング

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：筒井知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002115642
Publication number (International publication number)：2003309061
Application date： Apr. 18, 2002
Publication date： Oct. 31, 2003
Summary：

【要約】【課題】各種の機能素子などに利用され得る優れたパターン化シリコンウェハーを作製することのできる簡便で安価な光パターニング技術を提供する。【解決手段】非酸素雰囲気下に室温〜110°Cの温度において、末端に不飽和結合を有する炭化水素(好ましくは、炭素数4〜18のアルケン)をきわめて低濃度で溶解させた無水有機溶媒中に、水素終端化シリコンウェハーを浸漬することにより、シリコンウェハー上に炭化水素の単分子膜を形成し、この炭化水素の単分子膜に、所定のパターンのフォトマスクを介して紫外線を照射することにより、シリコンウェハーの表面に所定のパターンを形成することから成る光パターンニング方法。ケイ素-炭素結合を介して炭化水素の単分子膜が表面を被覆し、所定のパターンに応じて表面にケイ素-水素結合またはケイ素-水素結合が発現しているパターン化シリコンウェハーが得られる。

Claim (excerpt)：

シリコンウェハー表面を被覆している有機単分子膜に光を照射して所定のパターンを形成する光パターニング方法であって、(1)非酸素雰囲気下に室温〜110°Cの温度において、末端に不飽和結合を有する炭化水素を溶解させた無水有機溶媒中に、水素終端化シリコンウェハーを浸漬することにより、該シリコンウェハー上に前記炭化水素の単分子膜を形成する工程、および(2)前記炭化水素の単分子膜に、所定のパターンのフォトマスクを介して紫外線を照射することにより、前記シリコンウェハーの表面に前記所定のパターンを形成する工程、を含むことを特徴とする光パターニング方法。

IPC (5)：

H01L 21/027 , B82B 3/00 , G03F 7/09 501 , G03F 7/16 , H01L 21/312 ZNM

FI (6)：

B82B 3/00 , G03F 7/09 501 , G03F 7/16 , H01L 21/312 ZNM D , H01L 21/30 564 Z , H01L 21/30 502 R

F-Term (13)：

2H025AB16 , 2H025AB17 , 2H025AC01 , 2H025AD03 , 2H025CC20 , 2H025DA20 , 2H025EA07 , 5F046JA20 , 5F058AA03 , 5F058AC07 , 5F058AF04 , 5F058AG09 , 5F058AH01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

シリコン製被加工物への微細パターンの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-365592 Applicant：関西ティー・エル・オー株式会社

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