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J-GLOBAL ID：200903099822134949

半導体デバイスのプラズマ処理の間における粒子汚染を減少させる方法

Inventor： アナンド ギュプタ ,  チャールズ スティーウ ゙ン ローデス ,  ヤン イー ,  ヨセフ エム. ラヌーチャ
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994225024
Publication number (International publication number)：1995153740
Application date： Sep. 20, 1994
Publication date： Jun. 16, 1995
Summary：

【要約】【目的】 ウエハ処理の間、プラズマチャンバ内で半導体ウエハ上に捕捉された粒子を除去すること。【構成】 ウエハ周部に位置するフォーカスリング及びクランプ機構が捕捉粒子の流れを妨げるために、チャンバから排出されたガスと共に、捕捉粒子が外に導き出されることがなくなる。本発明の方法によると、処理の終了時で高周波電力が処理チャンバから切り離される前に、フォーカスリングとクランプ機構を上昇させることで、導入された不活性ガスと共に、捕捉粒子がチャンバから容易に流出できるようになり、ウエハの粒子汚染のレベルが大幅に減じられることになる。

Claim (excerpt)：

内部で半導体ウエハが周辺機構によって適所に保持される処理チャンバから不要な汚染粒子を除去する方法において、前記チャンバを連続的に排気する工程と、前記ウエハへの冷却ガスの流れを停止する工程と、前記ウエハの上方に前記周辺機構を上昇させる工程と、前記チャンバへガスを供給する工程と、前記チャンバを連続的に排気し、前記ウエハの上方の粒子が前記周辺機構の下を自由に流出し、且つ前記チャンバから自由に排出される工程とを備えた不要汚染粒子除去方法。