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J-GLOBAL ID：200903099823400510

半導体レーザ装置及びその製造方法

Inventor： 鬼頭 雅弘 ,  石野 正人 ,  松井 康
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992159171
Publication number (International publication number)：1994005971
Application date： Jun. 18, 1992
Publication date： Jan. 14, 1994
Summary：

【要約】【目的】 電流ー光出力特性の直線性に優れた半導体レーザを提供する。【構成】 n型InP基板上1上に分布帰還を生じさせる回折格子10を形成する。回折格子10上にn型InGaAsP導波路層2、ノンドープInGaAsP活性層3、p型InPクラッド層4を続けてエピタキシャル成長する。成長層にエッチングを施し、メサ5を形成する。p型InP6、n型InP7を続けてエピタキシャル成長し、電流ブロック層を形成する。p型InP埋め込み層8でメサ5を完全に埋め込む。p型InGaAsPコンタクト層9を続けてエピタキシャル成長する。p型InGaAsPコンタクト層9表面にコンタクト用回折格子11をエッチングにより形成する。絶縁層12を堆積したのちp型電極13とn型電極14を蒸着により形成する。以上のような構成にすることにより、電流ー光出力特性の直線性に優れた分布帰還型半導体レーザを作製することが可能となる。

Claim (excerpt)：

化合物半導体基板上に形成された、少なくとも活性層、クラッド層、コンタクト層、電極を含む半導体レーザ装置であって、前記コンタクト層と前記電極と界面に微細な凹凸が形成されており、前記コンタクト層と前記電極との接触面積が前記凹凸が無い場合と比較して広くなっていることを特徴とする半導体レーザ装置。