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J-GLOBAL ID：200903099849440995
マルチイオンセンサ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991301536
Publication number (International publication number)：1993142188
Application date： Nov. 18, 1991
Publication date： Jun. 08, 1993
Summary：
【要約】【目的】安価で、安定性の優れたマルチイオンセンサを提供する。【構成】シリコン基板またはガラス基板に、真空蒸着またはスクリーン印刷法などの半導体製作技術を利用して、孔開け加工,金属電極形成を行い、孔の部分をイオン感応膜で塞ぎ、加工した複数の基板を張り合わせて閉空間を形成し、閉空間にイオン感応膜を充填する。【効果】半導体製作プロセスを用いてマルチイオンセンサを大量生産できるので、安価なセンサを提供する、従って使い捨てが可能である。また、銀/塩化銀などの電極とイオン感応膜との間に電解液があり、従来のイオン電極と本質的に同じ構造であるため、従来のイオン電極並の優れた特性が得られる。
Claim (excerpt)：
第1の基板に少なくとも1個の貫通孔を設け、該貫通孔を塞ぐように貫通孔の周辺部でイオン感応膜を支持し、第2の基板に少なくとも1個の凹部を形成し、該凹部の底面または側面に少なくとも1個の金属または金属とその塩化物からなる電極を形成し、第1の基板のイオン感応膜と第2の基板の凹部が合うように、第1及び第2の基板を接着し、第1と第2の基板で形成される空間に電解液または電解液を湿潤させたゲルを満たしたことを特徴とするマルチイオンセンサ。
IPC (2)：
G01N 27/28 331
, G01N 27/333
