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J-GLOBAL ID：200903099850561461

半導体デバイスおよびその製造方法

Inventor： 中田 慎一
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 岩佐 義幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997302579
Publication number (International publication number)：1999145478
Application date： Nov. 05, 1997
Publication date： May. 28, 1999
Summary：

【要約】【課題】 順スタガ形TFTにおいて、開口率性能を高め、工程削減により製造コスト低減を実現するとともに、特にa-SiTFTアクティブマトリクス表示方式によるフラットディスプレイLCDに好適な半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 順スタガ形のTFTにおいて、絶縁性基板1の一面に遮光性絶縁膜2を成膜し、ソース電極5、ドレイン電極6とドレイン信号線6a、ゲート電極10とゲート信号線10aの各配線下層には遮光性絶縁膜2を残して存在させるが、この遮光性絶縁膜2の各配線下層以外のすべては除去している。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板の一面に成膜された絶縁膜上にソース電極およびドレイン電極を設け、これら両電極のそれぞれ少なくとも一部を覆うようにして、前記絶縁膜上にアモルファスシリコン(a-Si)、ゲート絶縁膜およびゲート電極がこの順に設けられ、前記ドレイン電極に画素電極が接続されて、この画素電極ごとに配置される順スタガ形薄膜トランジスタ素子(TFT)による半導体デバイスであって、前記絶縁膜が遮光性を有し、前記ソース電極、前記ドレイン電極とドレイン信号線、前記ゲート電極とゲート信号線の各配線下層には前記遮光性絶縁膜が存在するが、この遮光性絶縁膜の各配線下層以外のすべてが除去されてなっていることを特徴とする半導体デバイス。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/336

FI (4)：

H01L 29/78 619 B ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 627 A ,  H01L 29/78 627 C