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J-GLOBAL ID:200903099857280352

非晶質炭素被膜と非晶質炭素被膜の製造方法および非晶質炭素被膜の被覆部材

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 川瀬 茂樹
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001216723
Publication number (International publication number):2003026414
Application date: Jul. 17, 2001
Publication date: Jan. 29, 2003
Summary:
【要約】【課題】 高い密着性を持ち、耐摩耗性、高硬度、平滑性、摺動特性などの特性を有する非晶質炭素被膜およびその被覆部材並びに被覆方法を提供すること。【解決手段】 基材の上に、0.5nm〜30nmの金属層を設けるか或いは設けず、その上に、0.5nm〜200nmの無水素炭素膜Aをスパッタリング、真空アーク蒸着法によって形成し、さらにその上に水素濃度が5〜25at.%の含水素炭素膜Bを無水素炭素膜Aの2倍〜1000倍の膜厚に形成する。
Claim (excerpt):
基材Sの上に形成した膜厚0.5nm〜200nmの無水素炭素膜Aと、無水素炭素膜Aの上に形成した水素含有率が5at.%〜25at.%であり膜厚が無水素炭素膜Aの2倍〜1000倍である含水素炭素膜Bよりなることを特徴とする非晶質炭素被膜。
IPC (4):
C01B 31/02 101 ,  B23B 27/14 ,  C23C 14/06 ,  F16J 9/26
FI (4):
C01B 31/02 101 Z ,  B23B 27/14 A ,  C23C 14/06 F ,  F16J 9/26 C
F-Term (37):
3C046FF02 ,  3C046FF09 ,  3C046FF10 ,  3C046FF11 ,  3C046FF12 ,  3C046FF13 ,  3C046FF19 ,  3C046FF20 ,  3C046FF25 ,  3J044BA03 ,  3J044BB19 ,  3J044BC06 ,  3J044DA09 ,  3J044DA16 ,  4G046CA02 ,  4G046CB03 ,  4G046CB08 ,  4G046CC06 ,  4K029BA01 ,  4K029BA03 ,  4K029BA06 ,  4K029BA07 ,  4K029BA08 ,  4K029BA09 ,  4K029BA11 ,  4K029BA12 ,  4K029BA13 ,  4K029BA16 ,  4K029BA17 ,  4K029BA34 ,  4K029BB02 ,  4K029BB10 ,  4K029BD04 ,  4K029BD05 ,  4K029CA03 ,  4K029CA05 ,  4K029EA01
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)

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