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J-GLOBAL ID:200903099862569808

基板処理装置および基板処理方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 吉田 茂明 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998162181
Publication number (International publication number):1999354488
Application date: Jun. 10, 1998
Publication date: Dec. 24, 1999
Summary:
【要約】【課題】 アルコール蒸気による基板の汚染を防止できて、基板を十分に乾燥することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】 基板処理装置1において、処理槽562に貯留される純水L1から複数の基板Wをリフタ563の上昇とともに引き上げる。この際、窒素ガス噴射部565は窒素ガスFGを噴射し、液面TL1の上方部分R1において気流を形成して基板Wに付着する純水L1を除去する。さらに、窒素ガスFGをイオン化し純水L1に生じている電荷と同一極性に帯電させて噴射して、逆極性に帯電していた基板Wをそれらと同一の極性に帯電させる。これにより、純水L1(液滴)と基板Wとの間に生じる電気的な反発力を生じさせて、基板Wに付着した純水L1の除去を促進する。これによって、基板Wの乾燥処理を十分に行うことができ、また、乾燥処理のためにアルコールを用いる必要がない。
Claim (excerpt):
基板を所定の処理液に浸漬させた後、基板を処理液から相対的に引き上げて基板を乾燥させる基板処理装置において、所定の処理液を貯留する貯留手段と、その主面が鉛直方向とほぼ平行になるように基板を支持しつつ前記処理液中と当該処理液の上方との間で基板を相対的に昇降させる昇降手段と、前記処理液の液面近傍で、前記昇降手段により前記処理液の上方に露出した基板の主面に沿ったほぼ水平方向に気流を発生させて、基板の主面に気体を吹き付ける気体吹き付け手段と、を備えることを特徴とする基板処理装置。
IPC (4):
H01L 21/304 651 ,  H01L 21/304 ,  F26B 3/04 ,  F26B 21/00
FI (4):
H01L 21/304 651 L ,  H01L 21/304 651 G ,  F26B 3/04 ,  F26B 21/00 P
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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