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J-GLOBAL ID：200903099864877712

高温超伝導体成長用バッファ層及びその成長方法

Inventor： 中尾 宏 ,  山脇 秀樹 ,  井原 賢
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993018356
Publication number (International publication number)：1994227893
Application date： Feb. 05, 1993
Publication date： Aug. 16, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高温超伝導体成長用バッファ層及びその成長方法に関し、バッファ層に関する条件を適切に選定することで、110K-相の単相で100〔K〕近い零抵抗温度をもつBi系超伝導体薄膜を容易に実現できるようにする。【構成】 例えば、CVD法を適用することに依って、MgOからなる基板上にBi-Sr-Cu-Oからなる化学組成をもち、且つ、結晶のa-b面に対して鉛直方向に2.2〔nm〕±0.05〔nm〕の範囲に他のa-b面が存在する構造の結晶からなるバッファ層を成長させる。そのバッファ層上にBi系高温超伝導体薄膜を成長させた場合、良質の110K-相の単相のものが得られ、従来の技術に依った場合のように、110K-相と80K-相との混晶になってしまうことはない。

Claim (excerpt)：

Bi-Sr-Cu-Oからなる化学組成をもち、且つ、結晶のa-b面に対して鉛直方向に2.2〔nm〕±0.05〔nm〕の範囲に他のa-b面が存在する構造の結晶からなることを特徴とする高温超伝導体成長用バッファ層。

IPC (6)：

C30B 25/02 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C30B 25/18 ,  C30B 29/22 501 ,  H01L 39/02 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA