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J-GLOBAL ID：200903099869441521
半導体装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991219109
Publication number (International publication number)：1993063137
Application date： Aug. 30, 1991
Publication date： Mar. 12, 1993
Summary：
【要約】【目的】 複数の単体素子を階層構造に実装した半導体装置に関し,チップを重ねる際の位置合わせが容易で,且つ多数チップの積層を可能とすることを目的とする。【構成】 複数の半導体チップが積層されてなり,該チップはその表面及び裏面に該チップを貫通するスルーホールを通じて接続する電極を有し,該電極によりチップ相互間の接続が行われているように構成する。
Claim (excerpt)：
複数の半導体チップが積層されてなり,該チップはその表面及び裏面に該チップを貫通するスルーホールを通じて接続する電極を有し,該電極によりチップ相互間の接続が行われていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
